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但是Cu掺杂有以下缺点：全部期（1）由于补偿性缺陷的存在，Cu掺杂只能产生~1014cm-3的低空穴密度。使用该技术制备的As掺杂的CdSeTe太阳能电池获得了863mV的VOC和超过18%的PCE，玩意优于Cu掺杂的同类电池。

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【小结】综上所述，百货作者在CdTe太阳能电池中证明了一种低温非原位V族元素掺杂新技术，并制备了高效的无铜CdSeTe薄膜太阳能电池。这是因为在Cd3V2或V2Te3中，全部期V-Te和Cd-V键具有较高的共价特性，在扩散前需要较高的能量打断共价键。

（c）使用刮涂法沉积碳电极，玩意并在80°C下固化干燥。

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